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    互联网随着半导体行业的发展，对微型化和集成化要求越来越高，器件尺寸不断减小

，晶体管的刻蚀沟槽也不断减小，镀膜技术面临严峻的挑战
。化学气相沉积(CVD)与物理气相沉积(PVD)难以满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，ALD前驱体技术以其自限制生长和三维共形性的特点，适合各种复杂基底，被广泛应用于半导体先进薄膜工艺制程。通过ALD沉积的Al2O3、TiO2
、SiO2薄膜都能很好的台阶式覆盖在垂直的沟槽结构上，且叠层结构质检界面清晰，表现了ALD前驱体极强的保形性。下面将简单介绍一下ALD在高k介质层、金属互连扩散阻挡层、水氧阻隔层中的应用。

   那么具有高介电常数(k)的绝缘体在现代半导体器件中起着几个关键作用，包括电容器 DRAM，去耦滤波电容器，栅极与晶体管的通道隔离等。显示了一些栅极氧化物的静态介电常数与带隙
，其中


，Si3N4
、Al2O3介电常数较低。TiO2虽然介电常数很高(k=80)，但禁带宽度小且与衬底明显的界面缺陷限制了其作为栅介质的应用。综合各方面性能要求，高k材料HfO2、ZrO2作为栅介质层得到了业内广泛的认可和应用。